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未来材料?システム研究所：省エネルギー社会に資する次世代半導体ＧａＮ（窒化ガリウム）研究開発の取組み

場所 D35 豊田講堂ホワイエ１階スペース

時間10:00?16:00

省エネルギー社会を実現するため、現在、天野　浩教授を中心に取り組んでいる次世代半導体の材料として注目されているＧａＮ（窒化ガリウム）の新たな研究内容について紹介するブースを設け、パネル展示を行う。

　

　

　

　